仪器设备

基于此光谱仪平台，通过原位镀金反射率测量技术得到各类固体材料的光学响应函数。该光谱仪基于迈克尔逊型干涉仪，覆盖测量范围为20至15000波数。样品室放置反射和聚集镜用于形成近垂直入射光路至低温恒温器中的样品表面。可用于变温光谱测量的温区为：5-300 K。

基于Attocube扫描探针显微平台，通过安装不同类型的探针可以实现对薄膜样品、二维样品表面最小尺寸为几十纳米区域局部物理性质的探测，比如磁力探针可以探测样品局域的磁性(MFM)，导电探针可以探测样品电学性质(c-AFM)等。此外，还能通过集成微波电路模块，完成对样品局域介电常数和电导率的变化的测量(sMIM)，比如用于金属绝缘相变的探测、拓扑绝缘体中量子自旋霍尔效应的边缘态探测等。其中温度和磁场变化区间分别为：1.8-300 K 和 0-9 T。

二级推进高温高压合成设备压力可达到20GPa, 温度达到2000K。用于新材料的合成。高温高压合成方法具有合成速度快、样品致密度高等优点，对一些常压条件下不存在或不稳定的高压相及 含有不稳定元素的化合物具有独特的优势。

高压低温强磁场测量系统提供极低温（0.3K）及强磁场（14T）的测量环境，可进行高压下的电阻、磁阻、霍尔系数、交流磁化率、比热等测量，用于新型超导体探索及相关机理的研究。

探索新型超导体及相关机理的研究。P=100GPa, T=4.2K,拉曼频移范围：10-10000cm-1。

大口径超高压低温物性测量系统，具有较大的样品空间，温度低至0.5K，可进行高压下的电阻、交流磁化率、比热等测量，用于新型超导体探索及相关机理的研究。