(CaFe1−xPtxAs)10Pt3As8在正常态的类半导体行为

我们通过红外光谱研究了(CaFe1−xPtxAs)10Pt3As8 材料在正常态的类半导体行为。在其母体材料中，通过对光电导的谱重分析，我们认为其正常态的半导体行为源于三维长程反铁磁序形成之前的短程二维反铁磁涨落。但是在没有磁有序的最佳掺杂材料中(x = 0.1, Tc ∼12 K)，我们发现，当材料表现出类半导体行为时，其对应的光电导的低频带内响应被压制，并伴随出现一个新的的吸收峰。通过拟合分析，我们认为这个吸收峰源于大极化子的光致电离。有意思的是，在Tc 以下，我们发现该吸收峰亦对超导有贡献，表明在类半导体态这些被陷俘的电子仍然参与了超导配对。我们的观测将为铁基超导材料中的非常规配对提供重要线索。